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车辆的长期安全可靠性成为衡量汽车品质的一个重要指标。而保证汽车安全可靠，除了在汽车电子元器件的车规级的认证选型上需要关注之外，对于汽车电子功能模块的保护也越来越重要。那么汽车电子功能模块保护中“抛负载”及保护选型有什么技巧？
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在汽车电子功能模块保护上，除了静电保护(ISO10605)之外，最重要的要算道路行驶车辆的电气瞬变干扰的保护，也就是我们通常提到的汽车电子的测试标准ISO 7637-2 及增强版ISO 16750-2的标准了。
首先，先了解一下这两个标准定义的脉冲 在汽车电子系统所有脉冲中，抛负载是常见而且也是危害比较大的一种现象。那么ISO 7637-2 与ISO16750-2对于抛负载测试有什么差异？ ISO16750-2 相比ISO7637-2更为严格。在抛负载测试时，新的标准要求10分钟做10次测试，没两次测试间隔1分钟。而老的标准仅仅需要做一次抛负载测试。 在大多数新型交流发电机中，抛负载的电压幅度已经通过安装瞬态电压抑制二极管（TVS）而得到抑制（钳位）。 针对抛负载保护，最有效的方式就是选用瞬态抑制二极管(TVS)进行钳位保护。 在讨论5a,5b的保护之前，我们先看看这两种脉冲能量是否有差异。 测试结果可以分析出，从抛负载发生器（或者发动机）端，其实5a,5b波形能量大小是没有差异的。当待测TVS动作，串相同负载条件下，TVS上流过的电流是一样的，TVS钳位电压也是一样的。 但是从抛负载电压波形上来讲，5b相对5a 波形是有钳位（或稳压），导致负载端承受的电压远低于5a的波形。 因此，如果在做5a，5b抛负载保护时，若是从被保护器件防止被抛负载能量损坏的角度看，其保护器件的选型应是一致的。 然而在实际应用中，通常抛负载产生时，希望TVS动作，将能量导通泄放倒地，那么5a,5b不同的波形下，保护器件TVS实际承受的能量就会有很大的差异。因为只有当TVS导通以后，才会有大电流流过TVS，因此在不同的抛负载测试波形下，TVS实际承受的能量就有了不同。 在TVS选型之前，先了解两种模式下的实验电压： 不同实验模式下，对TVS的选型也会有差异。 接下来，我们只针对Mode 3 12V系统进行讨论。在模式3条件下，测试电压最大到16V,因此，TVS的Vr（反向截止电压）通常需要高于16V. 对于 ISO16750-2 12V系统 pulse 5a Us=101V, R1=1?, td=400ms 选择TVS SLD8S24A,那么TVS是否能满足5a测试 TVS导通后承受的电流: Ipp=[(Us+Ua)-Vbr]/(R1+Rd) Vbr:TVS 反向击穿电压 Vc:TVS钳位电压 Rd:TVS 导通时阻抗-----可以通过平移 TVS V/I 曲线纵坐标到Vbr,会得出一次函数曲线，Rd=(Vc-Vbr)/Ipp 查Littelfuse SLD8S24A规格书，计算Rd=(38.9V-26.7V)/180A=0.07? 计算TVS导通后流过的电流Ipp=【(101V+12V)-Vbr】/(1?+0.07?)=(112V-26.7V)/1.07?=79.7A@400ms 计算TVS上通过的能量（波形近正弦波，可以套用1/2 x I2t x Rd）W=1/2 x (79.7A)2 x td x Rd=1/2*6352.09A2 x 400ms * 0.07?=88.9J（实际导通时间低于td 400ms） 计算TVS所能承受的最大能量，查规格书知道8.3ms对应Ifsm是1000A TVS 能量Wtvs=(Ifsm)2 x t x Rf=(1000A)2 x 8.3ms x 0.018?=149.4J Rf:TVS 正向导通阻抗，可以通过Vf/100A=1.8V/100A=0.018? 100A是规格书定义的测试Vf时的电流 对比可以知道，SLD8S24A能满足pulse 5a 测试 通过SOA测试验证，SLD8S24A可以满足要求 除了TVS在汽车电子中常用于脉冲保护之外，MOV也是常见的保护器件。 以Littelfuse满足AEC-Q200的AUMOV选型为例，在12V系统ISO16750-1 5a，Us=101V,Ua=12V;R1=1.5Ω（设定）,td=400ms 1: AUMOV导通后承受的电流: Ipp=[(Us+Ua)-Vnom]/(R1+Rd) Vnom:AUMOV的压敏电压@1mA Vc:AUMOV钳位电压 Rd:AUMOV 导通时电压钳位在Vc时阻抗-----可以通过查AUMOV规格书，以V10E17AUTO 为例；Vc=53V@Ipk=5A Rd=(Vc-Vnom)/Ipp 查规格书，计算Rd=(53V-27V)/5A=5.2? 计算导通后流过的电流Ipp=【(101V+12V)-Vnom】/(1.5?+5.2?)=(112V-27V)/6.7?≈12.7A@400ms 计算AUMOV上通过的能量(套用1/2 x I2t x Rd）W=1/2 x (12.7A)2 x td x Rd=1/2 x 187.69A2 x 400ms x 5.2?≈167.7J（实际导通时间低于td 400ms） 如果把5a流过AUMOV上的能量折算成40ms宽度脉冲，计算电流大小 ? x I2 x 40ms x (R1+ 0.9Ω)=167.7J; I2=3493.75A2; I≈59.1A 计算V10E17AUTO所能承受的最大能量@400ms 1:查规格书知道2ms(方波)对应Wtm=6.5J---Wtm表示MOV所能承受的最大的2ms焦耳能量值 计算AUMOV在承受最大Wtm时的导通阻抗Rtm; 查规格书曲线2ms时对应的最大电流60A; Wtm=I2 x t x Rtm; Rtm=Wtm/ (I2 x t); Rtm= 6.5J/(60A2 x 2ms)=0.9Ω 2:查规格书可知40ms宽度的Load dump 能量25J; 计算V10E17AUTO 的load dump 电流 25J=1/2 x I2 x 40ms x Rtm ; I2=50J/(0.04s x 0.9Ω) ; I2=13.88 X102A2; I≈37.3A 在相同load dump 宽度下，可知MOV导通需要承受的5a电流59.1A远高于V10E17AUTO规格书标称load dump 电流37.3A 那么如果换成AUMOV V20E17AUTO型号，是否能满足呢? 计算V20E17AUTO所能承受的最大能量@400ms 1:查规格书知道2ms(方波)对应Wtm=35J---Wtm表示MOV所能承受的最大的2ms焦耳能量值 计算V20E17AUTO在承受最大Wtm时的导通阻抗Rtm; 查规格书曲线2ms时对应的最大电流300A; Wtm=I2 x t x Rtm; Rtm=Wtm/ (I2 x t); Rtm= 35J/(300A2 x 2ms)≈0.19Ω 2: 查规格书可知40ms宽度的Load dump 能量100J; 计算V20E17AUTO 的 load dump 电流 100J=1/2 x I2 x 40ms x Rtm ; I2=200J/(0.04s x 0.19Ω) ; I2≈2.63 X104A2; I≈162A 在相同 “抛负载“ 宽度下，可知V20E17AUTO导通需要承受的5a电流59.1A远低于V20E17AUTO规格书标称”抛负载” 电流162A 通过实验，可以看到V20E17AUTO能满足10次Load Dump测试: 作者：李晓辉 Steven Li，Littelfuse FAE |
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40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN!
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